| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN2015UFDE-7 |
Diodes Inc | 6-UDFN | 5960 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6E 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN2016LFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2016UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2019UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2013UFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | 3000 | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2009LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2005LPK-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
