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DMN2005DLP4K-7

Diodes Inc 6-SMD,无引线
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简述:MOSFET DUAL N-CH 6-DFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMN2005DLP4K-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN2005K-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2005LP4K-7 Diodes Inc 3-XFDFN MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2005LPK-7 Diodes Inc 3-XFDFN MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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DMN2004K-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 13098 MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN2005DLP4K-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 10mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:350mW
安装类型:表面贴装

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