收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CSD16406Q3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CSD16406Q3

Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 10000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与CSD16406Q3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CSD16407Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD16407Q5C Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD16408Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD16404Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD16403Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN 2500+82500 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD16401Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 12500 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

CSD16406Q3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 12.5V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别