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CSD16327Q3

Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 4685
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简述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
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CSD16327Q3参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 24A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 12.5V
功率 - 最大值:3W
安装类型:表面贴装

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