| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BUZ31H3045A |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BUZ31L | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BUZ31LE3044A | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BUZ31LH | Infineon Technologies | TO-220-3 | 424 | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BUZ31H | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BUZ31E3046 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BUZ31E3045A | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
