| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BUZ31E3045A |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BUZ31E3046 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BUZ31H | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BUZ31H3045A | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BUZ31 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BUZ30AH3045A | Infineon Technologies | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA | 1954 | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BUZ30AH | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
