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BST62,115

NXP Semiconductors TO-243AA 1640
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简述:TRANSISTOR DARL PNP SOT89
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BST62,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大:1.3W
频率 - 转换:200MHz
安装类型:表面贴装

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