收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > BST61TA
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BST61TA

Diodes Inc TO-243AA
询价QQ:
简述:TRANS DARL PNP -60V 500MA SOT-89
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BST61TA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BST62,115 NXP Semiconductors TO-243AA 1640 TRANSISTOR DARL PNP SOT89 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BST62-70TA Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR DARL PNP SOT89 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BST72A,112 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BST61,115 NXP Semiconductors TO-243AA 1000 TRANS PNP 60V 500MA SOT89 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BST60,115 NXP Semiconductors TO-243AA 1000 TRANS PNP 45V 500MA SOT89 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BST52TA Diodes Inc TO-243AA 11377 TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...

BST61TA参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):10µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 150mA,10V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别