| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS84 |
Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 37548 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS84,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 260168 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSS84_D87Z | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS8402DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSS83PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS83PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS83PH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 33000 | MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
