型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS84,215 |
NXP Semiconductors | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 260168 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSS84_D87Z | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS8402DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
BSS8402DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 75673 | MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
BSS84 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 37548 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSS83PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS83PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |