型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS84P-E6327 |
Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSS84PE6433 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS84PH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 170mA SOT23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS84PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS84LT1G | ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 75000 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSS84LT1 | ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS84DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6000 | MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |