| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSS84LT1G |
ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 75000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS84P-E6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS84PE6433 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS84PH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 170mA SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS84LT1 | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS84DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| BSS84DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
