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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > BSP50
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BSP50

Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:TRANSISTOR DARL NPN 45V SOT-223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSP50相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP50,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1860 TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP50E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 45V SOT-223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP50H6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
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BSP452 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 12000 IC SWITCH POWER HISIDE SOT223-4 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:160 毫欧 电流 - ...
BSP43,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 2000 TRANS NPN 60V 1A SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...

BSP50参数资料

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晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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