收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > BSP50,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSP50,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1860
询价QQ:
简述:TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与BSP50,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP50E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 45V SOT-223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP50H6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP51 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 60V SOT-223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BSP50 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 45V SOT-223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA ...
BSP452E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA IC HIGH SIDE SWITCH SOT-223 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:160 毫欧 电流 - ...
BSP452 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 12000 IC SWITCH POWER HISIDE SOT223-4 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:160 毫欧 电流 - ...

BSP50,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大:1.25W
频率 - 转换:200MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别