| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP318SE6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP318SL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 13000 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP32,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 1000 | TRANS PNP 80V 1000MA SOT223 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A 电压 - 集电极发... |
| BSP320SE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP317PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 3000 | MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP317PE6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP317PE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
