| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSP317PE6327T |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP317PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 3000 | MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP318SE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP318SL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 13000 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP317PE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP316PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP316PE6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
