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BSP317PE6327T

Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA
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简述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BSP317PE6327T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):430mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 430mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 370µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):262pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

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