| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP171PE6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP171PE6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP171PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 11830 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP19,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 3000 | TRANS NPN 350V 50MA SOT223 | 晶体管类型：NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集... |
| BSP170PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 6000 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP170PE6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP170PE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
