| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSP171PE6327T |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP171PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 11830 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP19,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 3000 | TRANS NPN 350V 50MA SOT223 | 晶体管类型：NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集... |
| BSP19AT1 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | TRANS NPN 100MA 350V SOT223 | 晶体管类型：NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集... | |
| BSP171PE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP170PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 6000 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP170PE6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
