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BSO330N02KG

Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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BSO330N02KG参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:730pF @ 10V
功率 - 最大:1.4W
安装类型:表面贴装

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