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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > BSO207P
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BSO207P

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简述:MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSO207P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BSO207P参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 5.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:23.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1013pF @ 15V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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