| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC010NE2LS |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC011N03LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC011N03LSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC009NE2LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSB280N15NZ3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 5000 | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSB165N15NZ3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 5000 | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
