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ATP104-TL-H

ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 5721+3000
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简述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
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与ATP104-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ATP106-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+3000 MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP107-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP108-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 7 MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP103-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP102-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 6000 MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP101-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+6000 MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ATP104-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3950pF @ 10V
功率 - 最大值:60W
安装类型:表面贴装

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