型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSB014N04LX3G |
Infineon Technologies | 3-WDSON | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSB015N04NX3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
BSB017N03LX3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 10000 | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSB019N03LXG | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | 3-WDSON | 5000 | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | 3-WDSON | 9970 | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSB012N03LX3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 5000 | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |