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BSB013NE2LXI

Infineon Technologies 3-WDSON 5000
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简述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BSB013NE2LXI参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):163A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):62nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4400pF @ 12V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

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