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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS250P
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BS250P

Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 13380 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3
参考包装数量:4000
参考包装形式:散装

与BS250P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS250PSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250PSTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250PSTZ Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250KL-TR1-E3 Vishay Siliconix TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250FTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS250FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BS250P参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):45V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):230mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:通孔

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