收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS250KL-TR1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BS250KL-TR1-E3

Vishay Siliconix TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BS250KL-TR1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS250P Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 13380 MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250PSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250PSTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS250FTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS250FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS-2450 MPD (Memory Protection Devices) 0+14600 HOLDER COIN CELL W/CLIP&RELEASE ...

BS250KL-TR1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):270mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:800mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别