收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFP640FESDH6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFP640FESDH6327

Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V TSFP-4-1
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFP640FESDH6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFP640FH6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 4V 50MA TSFP-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640H6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 6000 TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640H6433 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640FESDE6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V TSFP-4-1 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFP640FE6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640ESDH6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 18000 TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...

BFP640FESDH6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V
频率 - 转换:46GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益:8B ~ 30.5dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):110 @ 30mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别