收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFP640FE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFP640FE6327

Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFP640FE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFP640FESDE6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V TSFP-4-1 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFP640FESDH6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V TSFP-4-1 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFP640FH6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 4V 50MA TSFP-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640ESDH6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 18000 TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFP640E6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP620H7764 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 2.3V 80MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2.8V 频率 - 转换...

BFP640FE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V
频率 - 转换:40GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益:23dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):110 @ 30mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别