型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTM100A18FTG |
Microsemi Power Products Group | SP4 | 10 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET 2 N CH 1000V 43A SP4 参考包装数量:1 参考包装形式:散装 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTM100A23SCTG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4 | FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)... | |
APTM100A23STG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET PHASE LEG SER/PAR DIO SP4 | FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)... | |
APTM100A40FT1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 | FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)... | |
APTM100A13SG | Microsemi Power Products Group | SP6 | 43 | PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6 | FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)... |
APTM100A13SCG | Microsemi Power Products Group | SP6 | 9 | PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6 | FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)... |
APTM100A13DG | Microsemi Power Products Group | SP6 | MOSFET PHASE LEG SERIES DIO SP6 | FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)... |