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APTM100A13SCG

Microsemi Power Products Group SP6 9
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简述:PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTM100A13SCG参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(半桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:156 毫欧 @ 32.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 6mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:562nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:15200pF @ 25V
功率 - 最大:1250W
安装类型:底座安装

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