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首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGV50H60T3G
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APTGV50H60T3G

Microsemi Power Products Group SP3 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGV50H60T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGV75H60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTH003A0X4-SRZ GE Energy 10-SMD 模块 DC-DC 0.6-3.63V @ 3A 类型:非隔离(POL) 输出数:1 电压 - 输入(最小):2.4V 电压 - ...
APTH003A0X-SRZ GE Energy 10-SMD 模块 1600 DC-DC 0.6-3.63V @ 3A 类型:非隔离(POL) 输出数:1 电压 - 输入(最小):2.4V 电压 - ...
APTGV50H60BG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集电极发...
APTGV50H120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV50H120BTPG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集电极发...

APTGV50H60T3G参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

IGBT 类型:NPT、沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V
功率 - 最大:176W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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