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APTGV25H120BG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4
参考包装数量:1
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与APTGV25H120BG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGV25H120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV30H60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV50H120BTPG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集电极发...
APTGV15H120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV100H60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV100H60BTPG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集电极发...

APTGV25H120BG参数资料

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IGBT 类型:NPT、沟道和场截止
配置:升压斩波器,全桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.8nF @ 25V
功率 - 最大:156W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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