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APTGT50DH60TG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT50DH60TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT50DSK120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(...
APTGT50DSK60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(...
APTGT50DU120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT50DH170TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT50DH120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT50DDA60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(...

APTGT50DH60TG参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:非对称桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V
功率 - 最大:176W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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