型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT400DA120D3G |
Microsemi Power Products Group | D3 | 询价QQ: |
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简述:IGBT 1200V 580A 2100W D3 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT400DA120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT400DA60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 600V 500A 1250W D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT400DU120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 10 | IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
APTGT400A60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | 10 | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
APTGT400A120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT400A120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |