型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT200DH120G |
Microsemi Power Products Group | SP6 | 询价QQ: |
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简述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT200DH60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | |
APTGT200DU120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 1 | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
APTGT200DU60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | 10 | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
APTGT200DA60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 290A 625W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT200DA170D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT200DA120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |