| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT200DA120D3G |
Microsemi Power Products Group | D3 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 300A 1050W D3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT200DA120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT200DA170D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT200DA60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 290A 625W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT200A60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT200A60T3AG | Microsemi Power Products Group | SP3 | 12 | IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APTGT200A602G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
