收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT200A170D3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT200A170D3G

Microsemi Power Products Group D3
询价QQ:
简述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT200A170D3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT200A602G Microsemi Power Products Group * 10 POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT200A60T3AG Microsemi Power Products Group SP3 12 IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT200A60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT200A120G Microsemi Power Products Group SP6 44 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT200A120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT150TL60G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...

APTGT200A170D3G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):400A
电流 - 集电极截止(最大):5mA
Vce 时的输入电容 (Cies):17nF @ 25V
功率 - 最大:1250W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别