收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGF90DH60T3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGF90DH60T3G

Microsemi Power Products Group SP3 25
询价QQ:
简述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGF90DH60T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGF90DH60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60...
APTGF90DU60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:NPT 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60...
APTGF90H60T3G Microsemi Power Products Group * 12 POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGF90DA60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 600V 110A 416W SP4 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APTGF90DA60T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT 600V 110A 416W SP1 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APTGF90DA60D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 600V 130A 445W D1 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...

APTGF90DH60T3G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:非对称桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):110A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):4.3nF @ 25V
功率 - 最大:416W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别