收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGF660U60D4G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGF660U60D4G

Microsemi Power Products Group D4
询价QQ:
简述:IGBT 600V 860A 2800W D4
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGF660U60D4G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGF75DA120T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT 1200V 100A 500W SP1 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APTGF75DA60D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 600V 100A 355W D1 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APTGF75DDA120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 IGBT 类型:NPT 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...
APTGF530U120D4G Microsemi Power Products Group D4 IGBT 1200V 700A 3900W D4 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APTGF50X60T3G Microsemi Power Products Group SP3 20 IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGF50VDA60T3G Microsemi Power Products Group * 10 POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 IGBT 类型:NPT 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...

APTGF660U60D4G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.45V @ 15V,800A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):860A
电流 - 集电极截止(最大):500µA
Vce 时的输入电容 (Cies):36nF @ 25V
功率 - 最大:2800W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别