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首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGF25DSK120T3G
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APTGF25DSK120T3G

Microsemi Power Products Group SP3 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGF25DSK120T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGF25H120T1G Microsemi Power Products Group SP1 10 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGF25H120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGF25X120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGF25DDA120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 IGBT 类型:NPT 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGF25A120T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APTGF250SK60D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 600V 400A 1250W D3 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...

APTGF25DSK120T3G参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档
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IGBT 类型:NPT
配置:双路降压斩波器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.65nF @ 25V
功率 - 最大:208W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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