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APTC60HM70SCTG

Microsemi Power Products Group SP4 10
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简述:MOSFET 4N CH 600V 39A SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTC60HM70SCTG参数资料

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FET 型:4 N 通道(半桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:39A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 39A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 2.7mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:259nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7000pF @ 25V
功率 - 最大:250W
安装类型:底座安装

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