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APTC60HM70RT3G

Microsemi Power Products Group * 9
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简述:POWER MODULE FULL BRIDGE SP3F
参考包装数量:1
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与APTC60HM70RT3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTC60HM70SCTG Microsemi Power Products Group SP4 10 MOSFET 4N CH 600V 39A SP4 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTC60HM70T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTC60HM70T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTC60HM45T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTC60HM35T3G Microsemi Power Products Group SP3 17 MOSFET FULL BRIDGE 600V 72A SP3 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTC60DSKM70T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

APTC60HM70RT3G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:4 N 沟道(H 桥)+ 桥式整流器
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:39A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 39A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 2.7mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:259nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7000pF @ 25V
功率 - 最大:250W
安装类型:*

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