收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APT75GN120JDQ3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT75GN120JDQ3G

Microsemi Power Products Group ISOTOP
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227
参考包装数量:30
参考包装形式:

与APT75GN120JDQ3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT75GN120LG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 175 IGBT 1200V 200A 833W TO264 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
APT75GN60B2DQ3G Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V 155A 536W TO264 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
APT75GN60BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 18 IGBT 600V 155A 536W TO247 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
APT75GN120JDQ3 Microsemi Power Products Group ISOTOP 54 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT75GN120J Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 1200V 124A 379W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT75GN120B2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 31 IGBT 1200V 200A 833W TMAX IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...

APT75GN120JDQ3G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):124A
电流 - 集电极截止(最大):200µA
Vce 时的输入电容 (Cies):4.8nF @ 25V
功率 - 最大:379W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别