型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT68GA60B |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 28 | 询价QQ: |
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简述:IGBT 600V 121A 520W TO-247 参考包装数量:30 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT68GA60B2D40 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 26 | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I... |
APT68GA60LD40 | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 25 | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I... |
APT6M100K | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | 173 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT66M60L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 25 | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT66M60B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 15 | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT66F60L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 25 | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |