| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT68GA60B2D40 |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 26 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 121A 520W TO-247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT68GA60LD40 | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | 25 | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT6M100K | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | 173 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT75DQ100BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-2 | 58 | DIODE ULT FAST 75A 1000V TO-247 | 二极管类型：标准 电压 - (Vr)（最大）：1000V（1kV） 电流 - 平... |
| APT68GA60B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 28 | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT66M60L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | 25 | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT66M60B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 15 | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
