型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT66F60B2 |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 48 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 参考包装数量:30 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT66F60L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 25 | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT66M60B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 15 | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT66M60L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 25 | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 1 | IGBT 600V 198A 833W TO264 | IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I... |
APT65GP60J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 8 | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V ... |
APT65GP60B2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 30 | IGBT 600V 100A 833W TMAX | IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I... |