收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > APT65GP60L2DQ2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 1
询价QQ:
简述:IGBT 600V 198A 833W TO264
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT65GP60L2DQ2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT66F60B2 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 48 MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT66F60L Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 25 MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT66M60B2 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 15 MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT65GP60J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 8 IGBT 600V 130A 431W SOT227 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V ...
APT65GP60B2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 IGBT 600V 100A 833W TMAX IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 23 IGBT 900V 117A 500W TO-264 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, I...

APT65GP60L2DQ2G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,65A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):198A
功率 - 最大:833W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别