收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT6011LVRG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT6011LVRG

Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与APT6011LVRG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT6013B2FLLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6013B2LLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6013JFLL Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 6 MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT6011B2VRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6010LLLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 22 MOSFET N-CH 600V 54A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6010LFLLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 25 MOSFET N-CH 600V 54A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT6011LVRG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):49A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 24.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):450nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8900pF @ 25V
功率 - 最大值:625W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别