收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APT50GT120JRDQ2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT50GT120JRDQ2

Microsemi Power Products Group ISOTOP
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227
参考包装数量:10
参考包装形式:

与APT50GT120JRDQ2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT50GT120JU2 Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 1200V 75A 347W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT50GT120JU3 Microsemi Power Products Group ISOTOP 20 IGBT 1200V 75A 347W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT50GT120LRDQ2G Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 22 IGBT 1200V 106A 694W TO264 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT50GT120B2RG Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 1200V 94A 625W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT50GT120B2RDQ2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 33 IGBT 1200V 94A 625W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT50GT120B2RDLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 IGBT 1200V 106A 694W TO-247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...

APT50GT120JRDQ2参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):72A
电流 - 集电极截止(最大):400µA
Vce 时的输入电容 (Cies):2.5nF @ 25V
功率 - 最大:379W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别