型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT50GF120JRDQ3 |
Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 20 | 询价QQ: |
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简述:IGBT 1200V 120A 521W SOT227 参考包装数量:10 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT50GF120LRG | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 163 | IGBT 1200V 135A 781W TO264 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |
APT50GF60JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 33 | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V... |
APT50GF60JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V... | |
APT50GF120B2RG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 18 | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |
APT5040KFLLG | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
APT5028BVRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |